примесный уровень

См. также в других словарях:

• примесный уровень — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN impurity level …   Справочник технического переводчика

• примесный уровень — priemaišinis lygmuo statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. impurity level vok. Störstellenniveau, n; Verunreinigungsniveau, n rus. примесный уровень, m pranc. niveau d’impureté, m …   Fizikos terminų žodynas

• примесный уровень полупроводника — примесный уровень Локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы примесный уровень …   Справочник технического переводчика

• Примесный уровень полупроводника — 81. Примесный уровень полупроводника Примесный уровень Локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• примесный уровень — Локальный уровень, обусловленный примесью …   Политехнический терминологический толковый словарь

• примесный энергетический уровень — priemaišinis energijos lygmuo statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. impurity energy level vok. Störenergieniveau, n; Störstellenenergieniveau, n rus. примесный энергетический уровень, m pranc. niveau énergétique d impureté, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …   Физическая энциклопедия

• ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… …   Физическая энциклопедия

• РЕКОМБИНАЦИОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ — (рекомбина ционная люминесценция) люминесценция полупроводника (и диэлектриков), обусловленная рекомбинацией неравновесных электронов и дырок. В отличие от др. видов люминесценции, под Р. и. понимают процесс, к рому предшествует образование… …   Физическая энциклопедия

• ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ — условный термин, означающий совокупность подвижных заряженных ч ц в тв. проводниках (эл нов проводимости в металлах или эл нов и дырок в полупроводниках) в таких условиях, когда их св ва близки к св вам газоразрядной плазмы. Это позволяет… …   Физическая энциклопедия